LATEST
Η Samsung παρουσιάζει τη νέα γενιά 3D μνήμης στο FMS 2026
Η Samsung Electronics παρουσίασε στο FMS 2026, τα concept μοντέλα zHBM και zNAND-O, καθώς και τη νέα τεχνολογία V10 BV-NAND, η οποία ξεπερνά τα 400 επίπεδα κυψελών μνήμης, για πρώτη φορά στον κλάδο. Η zHBM διαφοροποιείται τοποθετώντας τη μνήμη HBM κάθετα πάνω από τους AI accelerators, αντί δίπλα τους. Σύμφωνα με τη Samsung, αυτή η αρχιτεκτονική προσφέρει έως και 8πλάσια απόδοση συγκριτικά με HBM5, πάνω από 10 φορές μεγαλύτερη πυκνότητα μνήμης, τριπλάσια ενεργειακή απόδοση και μείωση της θερμικής αντίστασης άνω του 50%. Υποστηρίζει, επίσης, προσαρμοσμένους σχεδιασμούς με ενσωμάτωση εξατομικευμένης IP στο ενδιάμεσο επίπεδο. Η zNAND-O, σε εκδόσεις 4 και 8 επιπέδων V-NAND, απευθύνεται σε εφαρμογές edge AI που απαιτούν χαμηλό latency. Η V10 BV-NAND, 13 χρόνια μετά την πρώτη V-NAND το 2013, ενσωματώνει τεχνολογία wafer bonding και αυξάνει την πυκνότητα μνήμης κατά 58% σε σχέση με την προηγούμενη γενιά V9, βελτιώνοντας παράλληλα τις επιδόσεις ανάγνωσης, εγγραφής και I/O. Παράλληλα, η εταιρεία έδωσε το roadmap της για HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM και τις enterprise λύσεις PM1763 και BM1773, επιβεβαιώνοντας ότι τα δείγματα HBM4E είχαν ήδη αποσταλεί σε πελάτες τον Μάιο. Η LPDDR5X-PIM αποτελεί την πρώτη μνήμη LPDDR με processing-in-memory, εκτελώντας επεξεργασία δεδομένων εντός της μνήμης για βελτιωμένη ενεργειακή αποδοτικότητα.